| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V SOT363 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326 |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BSD235C H6327 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 1.6µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 47pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.34nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 350 毫欧 @ 950mA,4.5V |
| 供应商器件封装 | PG-SOT363-6 |
| 其它名称 | BSD235C H6327DKR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 950mA,530mA |